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  1. 一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38571992

  1. 一种低电压带隙基准电压源的设计

  2. 本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进，使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：282624
    • 提供者：weixin_38623366

  1. 带隙基准电压源的总体电路图

  2. 本文介绍了一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实现，采用3.3V电源电压，在-40~100℃范围内，达到低于6ppm/℃的温度系数，在1kHz和27℃下，电源抑制比达到82dB.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-20
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38552239

  1. BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用

  2. 基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺，设计了应用于一款“10-Gbps 跨阻放大器（TIA）”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V～3.6 V的电源电压下，输出基准参考电压为1.2 V，温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 dB，具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计，该偏置电路除了提供偏置电流外，还具备带宽调节功能，可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：552960
    • 提供者：weixin_38539705

  1. 低功耗带隙基准电压源电路设计

  2. 文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38677234

  1. 电源技术中的一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

  2. 一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550605

  1. 一款新颖的带隙基准电压源设计

  2. 基于TSMC0．5μmCMOS工艺，设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比，该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿，设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示，该电路所产生的基准电压精度为13．2×10-6／℃，低频时的电源抑制为-98dB，静态工作电流为3μA。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：205824
    • 提供者：weixin_38725902

  1. 电源技术中的一种高精度带隙基准电压源电路的实现

  2. 1　引言 　　近年来，模拟集成电路设计技术随着CMOS工艺技术一起得到了飞速的发展，芯片系统集成（sys2temonchip）技术已经受到学术界及工业界广泛关注。随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块，如A/D、D/A转换器，滤波器电路以及锁相环等电路提出了更高精度及速度的要求。由于带隙基准电压、电流源电路的输出电压及电流几乎不受温度和电源电压变化的影响，这就使得片内集成的带隙基准电压、电流源电路成了模拟集成电路芯片中不可缺少的关键部件。传统的基准电压源电路在0～70℃的温度范围内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38609002

  1. 电源技术中的介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路

  2. 1 引 言 　　带隙是半导体量子物理的名词，带是能量带，隙是两带之间的电势差。晶体管的PN结压降与这有关。带隙基准源是利用三极管的Vbe的特性做出来的低温度系数的电压基准。　 　带隙基准源广泛应用于各类集成电路之中。本文介绍带曲率补偿的带隙基准源的原理，并将其与传统带隙基准源进行比较，突出其在温度特性上的优点，并介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路。 2 传统带隙基准源原理 　　带隙基准的原理是产生分别带正温度系数和负温度系数的电压，然后通过电路让其相加得到温度系数很小，甚至没有温度系数的电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：173056
    • 提供者：weixin_38666300

  1. 低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析，然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源，采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路，使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原理，给出了电路的仿真结果，并对结果进行了分析。并基于CSMC 0．5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真，得到理想的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：350208
    • 提供者：weixin_38673924

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5．283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38628150

  1. 一种用于D/A转换电路的带隙基准电压源的设计

  2. 本文介绍了带隙基准电压源的原理，实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃~100℃的温度范围内，有效温度系数为6.1ppm/℃；电源电压在1.6V~2.0V 变化时，其电源抑制比为103.7dB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38590456

  1. 一种低温漂低功耗的简易带隙基准电压设计

  2. 在一般的应用中，如果对带隙基准电压的要求不是特别高的情况下，完全可以采用一种更为简洁的电路结构。因此，这里介绍一种简易可行的带隙基准电压的设计，利用PTAT电压和双极性晶体管发射结电压的不同的温度特性，获取一个与温度无关的基准电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：197632
    • 提供者：weixin_38592848

  1. 电源技术中的一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。 　　0 引 言 　　基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38547532

  1. 模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38703468

  1. 模拟技术中的一种用于D/A转换电路的带隙基准电压源的设计

  2. 摘要：本文介绍了带隙基准电压源的原理，实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃~100℃的温度范围内，有效温度系数为6.1ppm/℃；电源电压在1.6V~2.0V 变化时，其电源抑制比为103.7dB。     基准电压源在DAC电路中占有举足轻重的地位，其设计的好坏直接影响着DAC输出的精度和稳定性。而温度的变化、电源电压的波动和制造工艺的偏差都会影响基准电压的特性。本文针对如何设计一个低温度系数和高电源电压抑制比的基准电压源作了详细分析。    从DAC电路的实际工作环境考虑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38602563

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 基于汽车环境的带隙基准电压源的设计

  2. 比较了传统带运算放大器的带隙基准电压源电路与采用曲率补偿技术的改进电路，设计了一种适合汽车电子使用的带隙基准电压源，该设计电路基于上海贝岭2 μm 40 V bipolar工艺，采用一阶曲率补偿技术，充分考虑了汽车空间有限、温差大、噪声多的环境特点，没有使用运放，避免其复杂的结构以及所引起的失调，因此降低了电路成本并改善性能，设计中还引入了启动电路，大大降低了附加功耗。用Cadence Spectre对电路仿真，结果表明，电路温度特性好，抗干扰能力强，有较高的电源抑制比(PSRR)，达到预期指标

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-01
    • 文件大小：706560
    • 提供者：weixin_38723527

  1.  低功耗低温漂高PSR带隙基准电压源的设计

  2. 在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38713061

  1.  一种高精度带隙基准电压源电路设计

  2. 针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电压源。基于0.5 μm高压BiCMOS工艺对电路进行了仿真，结果表明，在-40℃~85℃范围内，该带隙基准电路的温度系数为7ppm/℃，室温下的带隙基准电压为1.215 V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748740
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