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搜索资源列表

  1. 一种高精度自偏置带隙基准源设计

  2. 带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统 CMOS带隙基准源电路的分析和总结上 ,基于无锡上华的 015μm混合 CMOS工艺 ,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用 ,并结合一级温度补偿、 电流反馈技术和运放电路 ,设计一款 高电源抑制比、 低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-08
    • 文件大小：327680
    • 提供者：zz269057460

  1. 带隙基准课件

  2. 带隙基准课件，模拟集成电路的圣经，西工大亲情奉献。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2012-09-28
    • 文件大小：262144
    • 提供者：carljelly

  1. 一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源.pdf

  2. Cadence 集成电路 CMOS 带隙基准源

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-12-05
    • 文件大小：307200
    • 提供者：lh2008xp

  1. 带隙基准（ISSCC上94年的论文)

  2. ISSCC上基准电路，低压低功耗，上老拉那本书上11章带隙基准的拓展

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-11
    • 文件大小：262144
    • 提供者：sharpppp

  1. 二维光子晶体带隙的模拟研究

  2. 毕业论文:二维光子晶体带隙的研究，二维光子晶体带隙研究的方法；模拟研究的结果

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2013-05-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：u010830514

  1. N76E003 adc带隙电压程序

  2. 本程序主要使用N76E003单片机的带隙电压基准源，实现对常规ADC测量中，受供电电压影响进行补偿，本工程由KEIL4进行创建，注释清晰，需要Nu_Link仿真器。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-09-29
    • 文件大小：133120
    • 提供者：u014798590

  1. 本科毕业论文-带隙基准.pdf

  2. 本文阐述了 Banba 和 Leung 两种基本带隙基准电压源电路的工作原理，分析了 Leung结构对于 Banba 结构改进的方法，分别对两个电路的参数进行了设计，并仿真其性能，由此来比较了它们各自的特点。 得到的结论是 Banba 结构的输出电压温度系数更小， 而 Leung结构的最低电源电压可以降到 1V 左右，有益于向低电压设计的发展。仿真采用 SMIC0.18um 标准 CMOS Spice 工艺模型在 Hspice 中进行，两者的输出电压都在 0.5V 左右，温度系数在 10e-5

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-05-02
    • 文件大小：562176
    • 提供者：gsjthxy

  1. 费米子凝聚和带隙的畴壁按拓扑顺序排列

  2. 我们在两个空间维度上以玻色子拓扑顺序研究费米子凝聚。 可以将费米子凝聚实现为玻色子和费米子拓扑结构阶之间的带隙畴壁，这可以被认为是从玻色子拓扑到费米子拓扑结构阶的实际空间相变。 这张照片概括了先前的认识，即将玻色子凝聚理解为玻色子拓扑阶之间的带隙畴壁。 尽管以前曾考虑过单电流费米子凝聚，但我们系统地研究了一般的费米子凝聚，并证明它遵循层次结构原理：一般的费米子凝聚总是可以分解为玻色子凝聚，然后再进行最小的费米子凝聚。 后者仅涉及一个自身的反粒子，它是自己的反粒子，具有单位量子尺寸。 我们制定了最

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-18
    • 文件大小：739328
    • 提供者：weixin_38655561

  1. 带隙边界的拓扑阶数的量子对偶模型中的电磁对偶

  2. 我们将量子双（QD）模型中的电磁（EM）对偶性概括为具有带隙边界的拓扑阶的扩展QD模型。 我们还将扩展的QD模型映射到具有空白边界的扩展的Levin-Wen（LW）模型。 为此，我们进行傅立叶变换并在带边界的三价晶格上重写扩展的QD模型，其中体规组是有限组G。已知变换前模型的有间隙边界条件由子组表征 K⊆G提供边界自由度。 我们发现，变换后，边界条件由Rep G中的Frobenius代数A G，K表征。 AG，K是G的群代数与K的商的商的对偶空间，Rep G是G的表示的类别。边界上的EM对偶性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-05
    • 文件大小：683008
    • 提供者：weixin_38670707

  1. 光子晶体带隙中基于泄漏模式的超大负的和正的侧向位移

  2. 光子晶体带隙中基于泄漏模式的超大负的和正的侧向位移，王永春，沈义峰，我们发现，在单色高斯光束入射到结构的过程中，反射光束同时出现负向和正向偏移的两束光。该结构是由介质波导和光子晶体共同组成

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：141312
    • 提供者：weixin_38640830

  1. 准Λ型四能级原子系统中的可调谐双光子带隙

  2. 准Λ型四能级原子系统中的可调谐双光子带隙，杜鹏，万仁刚 ，本文研究了一个驻波场驱动的准 型四能级原子系统中实现的可调谐双光子带隙结构。利用驻波场对介质色散性质的空间周期调制，在探�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-03
    • 文件大小：314368
    • 提供者：weixin_38580759

  1. 基于8字形散射体正方晶格光子晶体完全带隙特性研究

  2. 基于8字形散射体正方晶格光子晶体完全带隙特性研究，潘赛虎，徐权，本文提出了一种基于旋转对称的8字形散射体二维正方晶格光子晶体。利用MIT提供的开源仿真器（MPB）仿真分析了该结构光子晶体的结构�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-21
    • 文件大小：786432
    • 提供者：weixin_38663701

  1. 等刚度三振子周期结构带隙设计

  2. 等刚度三振子周期结构带隙设计，高明，吴志强，周期结构带隙频率范围（禁带）内的弹性波传播受到抑制,而其他频率范围(通带)内的弹性波可以无损耗地传播，因此，周期结构可以作为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-09
    • 文件大小：324608
    • 提供者：weixin_38711041

  1. 确定一维声子晶体带隙范围的模态方法

  2. 确定一维声子晶体带隙范围的模态方法，李雷，刘庆，采用模态方法研究了一维杆状周期结构声子晶体的带隙特性,并通过理论计算得到了一维周期结构声子晶体的固有频率方程，解该方程确�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：468992
    • 提供者：weixin_38659789

  1. 可见光波段二维光子晶体带隙结构的理论研究

  2. 可见光波段二维光子晶体带隙结构的理论研究，朱鸣柳，田成，为了分析各种结构对二维光子晶体带隙特性的影响，本文采用高折射率材料碲化铅构建了三角、四方两种结构二维光子晶体，采用传输矩

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：301056
    • 提供者：weixin_38695773

  1. 氧化钽及其空位缺陷带隙结构的理论计算

  2. 氧化钽及其空位缺陷带隙结构的理论计算，王吉飞，许程，采用第一性原理平面波超软赝势方法分别计算了单斜相Ta2O5的能带结构，考虑到通常情况下Ta2O5用于薄膜材料，所以对非晶态的Ta2O5也进行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：468992
    • 提供者：weixin_38703277

  1. 反位缺陷的形成有效降低BN纳米条带宽的带隙

  2. 反位缺陷的形成有效降低BN纳米条带宽的带隙，张慧，于广涛，借助密度泛函理论计算方法，研究了反位缺陷对锯齿型和扶手椅型BN纳米条带的几何结构以及电学和磁学性质的影响。反位缺陷的形成能�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38671628

  1. 含轴对称散射体复式晶格人工结构方向性带隙

  2. 含轴对称散射体复式晶格人工结构方向性带隙，梅军，，将具有轴对称性的刚性散射体以复式正方晶格点阵的形式排列在水中，能够获得明显的方向性带隙。复式点阵中每个正方形元胞含有2个�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：481280
    • 提供者：weixin_38537689

  1. 带隙基准电压源设计

  2. 毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-05-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：u010842530

  1. 声子晶体带隙

  2. 通过对其带隙结构与不含功能梯度材料的 常规声子晶体帯隙结构比较可知 功能梯度材料使原有带隙结构发生变化 含有功能梯度材料的声子晶体较常规 声子晶体前两阶带隙归一化起始频率升高． 这些结果扩宽了功能梯度材料的使用范围 提升了声子晶体工程可靠 性 为含有功能梯度材料的声子晶体在工程实际中的应用提供了理论依据和指导

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-10-22
    • 文件大小：310272
    • 提供者：xifeng740209
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