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  1. 常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总

  2. 因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时可以没有负压，但在干扰较重时，负压关断对于提高可靠性有很大好处。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-15
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38557670