采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层可以减小InAs量子点所受的应力、降低位错及缺陷的产生, 使发光峰强度增大。但x值过大(x≥0.3)将导致材料质量降低, 产生多峰结构。随着温度升高, 载流子在GaAs势垒层和量子点之间迁移, 而介面势垒阻碍载流子的迁移。研究了InAs量子点的时间分辨谱, 发现了覆盖低In组分InGaAs层及AlAs层的量子点发光衰退谱符合双指数衰退规律, 分析了不同量子点
