主要研究采用IBM公司SOI 0.18 μm CMOS工艺设计应用于1.95 GHz WCDMA发射机的全集成线性功率放大器的设计方法。电路采用三级AB类放大器级联结构，模拟结果显示，在工作电压为2.5 V的情况下，CMOS射频功率放大器工作稳定，1 dB压缩点输出功率约为30 dBm，增益约为28 dB，最大功率增加效率(PAE)约为42％