基于IBM 0.36 μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器，工作频段为5～6 GHz，且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感负反馈结构。模拟结果显示，在工作电压为5 V的情况下，当低噪声放大器工作时，HBT低噪声放大器工作稳定，常温下，整体的噪声系数为2.2 dB 5.5 GHz，小信号增益为13.3 dB，旁路噪声系数为7.2 dB 5.5 GHz，插入损耗为6.8 dB。当输入总功率为0 dBm的双音信号（-3 dBm/tone）