利用基于Ｇｅａｎｔ４建立起来的针孔成像模型获得了不同偏移量下γ与中子的好事例、能量沉积的比值，并模拟分析了强γ背景对中子针孔成像点扩展函数的影响。研究结果表明：在偏移量小于１ｃｍ 时，γ与中子的好事例之比、γ与中子的能量沉积峰值之比以及γ与中子的能量沉积总和之比分别在０．４０～０．４２，０．６３～０．６５以及０．４６～０．４９之间；偏移量大于１ｃｍ 时，比值下降明显，γ对中子的影响减小。在同一偏移量下，γ射线的