我们研究了强电场作用下GaN晶体的性能。 使用紫外线激光测量GaN的拉曼光谱，并观察到A（1）（LO）模式的明显红移。 讨论了表面耗尽层的作用，并揭示了电场与声子之间的相互关系。 第一性原理计算表明，尤其是，沿[0001]方向振动的声子受到电场的强烈影响。 通过表面光电压实验证实了该效果。 结果揭示了红移的起源，并展示了在强电场下GaN的声子性质。 （c）2018年日本应用物理学会