在高性能微波暗室技术设计中，由于静区指标较高，采用一般的几何光学技术不能进行准确计算，因此需采用几何绕射理论技术。本文对该技术在暗室设计中的应用进行了初步探讨。此外，在以前分析计算吸波材料的反射率与入射角的关系时，常采用性线插值法，这会引入较大的设计误差。本文运用电磁场理论推导出了反射率与入射角之间的函数关系。通过对比分析表明，新的函数关系可以消除设计误差。