忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻, 可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM), 也称为阻变随机存取存储器(RRAM). 本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器(MRRAM) —— 可与现代计算系统相兼容的纳米级二值存储器实现方案, 其结构与静态随机存取存储器(SRAM) 类似, 但用忆阻器替代基本RS 触发器存储信息. 在此基础上, 通过改进该MRRAM, 可以实现在一个存储单元中存储多比特信息(以灰度级形式) 的多值存储器, 大大提高了存储密度. 给出的计算机仿真和数值分