击穿电压是最重要得参数之一，它和最大电流容量一起决定了电力电子器件的额定功率，其中功率FRD通常是通过大面积PN结保证实现大电流。但是对于高压工作的FRD来说，平面工艺不可避免的存在着结面弯曲效应而影响击穿电压，使得器件实际击穿电压只有理想情况的10%-30%。如本文后面将要提到的，在采用金属场板终端提高耐压的同时，还要防止圆片打火问题的发生。

通过对平面性电力半导体器件快速恢复二极管场限环击穿电压电势的分析和优化，指出原有设计的缺陷，提出了新的优化方法，使器件在大的测试电压下打火问题得到解决，从而提高器件性能和可靠性。