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搜索资源列表

  1. PCB抗静电放电的措施

  2. PCB抗静电放电的措施

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-08-22
    • 文件大小：36864
    • 提供者：shuiqu10

  1. 细水雾对非金属管材抗静电性能影响的试验研究

  2. 利用水降低管材表面电阻的原理,测试了细水雾在不同喷雾压力下,煤矿井下常用的PVC、PE管样品内外表面电阻率。研究结果表明:PVC、PE管内外表面平均电阻率随喷雾压力的增加均呈指数衰减函数降低;同等条件下,PVC、PE管内表面平均电阻率均小于外表面电阻率,而PVC管的表面电阻率要小于PE管;PVC管在试验中达到了抗静电性能的要求,更适合在煤矿井下使用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-12
    • 文件大小：324608
    • 提供者：weixin_38645335

  1. 矿用无卤阻燃抗静电聚乙烯材料的研制

  2. 以聚乙烯(PE)为基体材料,在其中加入无卤膨胀型阻燃剂FR-1420、抗静电剂及增韧剂EEA树脂(乙烯—丙烯酸乙酯)制备得到了完全满足煤矿井下要求的阻燃抗静电PE材料,并测试考察了阻燃剂、抗静电剂和增韧剂对PE材料性能的影响。试验结果表明:阻燃剂FR-1420的加入能提高PE材料的阻燃性能,当阻燃剂质量分数达到28%时,PE材料垂直燃烧等级达到UL 94的V-0级,继续增加阻燃剂质量分数至30%,则通过MT 113—1995《煤矿井下用聚合物制品阻燃抗静电性通用试验方法和判定规则》中的酒精喷灯试

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-29
    • 文件大小：171008
    • 提供者：weixin_38692043

  1. 天然橡胶/聚苯胺抗静电复合材料

  2. 天然橡胶/聚苯胺抗静电复合材料，阮加富，陶玉仑*，聚苯胺作为一种新型的结构型导电高分子，人们目前研究其与高分子材料复合来改善传统材料的抗静电性能，以求拓宽导电聚苯胺的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：667648
    • 提供者：weixin_38676500

  1. PP/聚苯胺抗静电材料

  2. PP/聚苯胺抗静电材料，彭南南，陶玉仑，随着计算机技术和电子行业等领域的飞速发展，对材料的性能要求越来越严苛。市场对导电聚合物材料的应用领域越来越广泛。聚苯胺作

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：664576
    • 提供者：weixin_38655998

  1. RS485芯片BL3085B抗静电15KV强于10KV的BL3085A，性价比超高，现货促销-BL3085_V1.0_cn.pdf

  2. RS485芯片BL3085B抗静电15KV强于10KV的BL3085A，性价比超高，现货促销-BL3085_V1.0_cn.pdf

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：370688
    • 提供者：weixin_38743968

  1. RS485芯片BL3085B抗静电15KV强于10KV的BL3085A，性价比超高，现货促销-BL3085B_V1.1en.pdf

  2. RS485芯片BL3085B抗静电15KV强于10KV的BL3085A，性价比超高，现货促销-BL3085B_V1.1en.pdf乌上海见 % ℃)( △ Q 乌上海见 乌上海见 ,|D|≥2.0V ,|vD|≥2.0V 乌上海见 TEST POINT TP∏ R V C RD 50Cg2 OUIPUT UNDER TEST+ 个 DI 15V 15v 1.5V 1.5v ZH LZH( SHDN) tpl z OUTPUT HIGH OUT(B OH-D.5V OH OUT (A, B)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：218112
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 复位电路的抗静电放电 整改案例

  2. 复位电路 抗静电 放电 整改案例 ESD

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2013-02-07
    • 文件大小：84992
    • 提供者：w860316

  1. 如何在电路抗静电

  2. 如何在电路抗静电，对静电不懂的可以下来看看

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-04-24
    • 文件大小：4096
    • 提供者：zhengsongxin567

  1. 阻燃抗静电型高耐磨聚氨酯

  2. 兖州矿业(集团)公司杨村煤矿通过对多种特性助剂组合的大量研究与试验,研制出了阻燃抗静电型高耐磨聚氨酯,有效提高矿山提升系统所用高耐磨罐耳的安全性,解决了多年来存在的常规高耐磨罐耳不具备阻燃抗静电问题。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-29
    • 文件大小：145408
    • 提供者：weixin_38690089

  1. 煤矿井下用PVC抗静电性能影响因素的分析

  2. 通过煤矿井下PVC抗静电性能试验和对抗静电性能影响因素的分析,说明聚合物本身抗静电性的发挥取决于抗静电剂吸湿性的原因及抗静电剂吸湿性能降低的发生机理,为保障其长期安全使用研制相关工业助剂提供研究方向和理论依据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-07
    • 文件大小：119808
    • 提供者：weixin_38651165

  1. 提高发蓝壳刚性电雷管抗静电能力的研究

  2. 介绍了对引火药头外涂导电漆的研制,并装配成发蓝壳毫秒电雷管进行静电感度测试。试验表明,优选的导电漆能大幅度提高发蓝壳毫秒电雷管抗静电能力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：540672
    • 提供者：weixin_38548817

  1. 对设计PCB时的抗静电放电方法简介

  2. 本文将对设计PCB时的抗静电放电方法简单介绍

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38586942

  1. 设计PCB时的抗静电放电方法

  2. 本文主要介绍了设计PCB时的抗静电放电方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-21
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38686924

  1. 设计PCB时抗静电放电(ESD)的方法

  2. 来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-31
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38724535

  1. PCB抗静电放电的措施

  2. 来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-14
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38556416

  1. 设计PCB时抗静电放电（ESD）的方法

  2. 本文主要介绍设计PCB时抗静电放电（ESD）的方法，这篇方法希望对你有帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38616435

  1. 对设计PCB时的抗静电放电方法简单介绍

  2. 　在PCB板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。尽可能使用多层PCB，相对于双面PCB而言，地平面和电源平面，以及排列紧密的信号线-地线间距能够减小共模阻抗和感性耦合，使之达到双面PCB的1/10到1/100。对于顶层和底层表面都有元器件、具有很短连接线。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38602563

  1. 元器件应用中的盛群新款模拟信号处理器提供强化抗静电功能..

  2. 盛群半导体日前推出模拟信号处理器HT82V26A，除具有与前代产品HT82V26的兼容性外，还提供强化抗静电的能力，适用于高速的CCD/CIS扫瞄器及多功能事务机。     HT82V26A拥有三个信道结构，可提供一个、两个或三个信道的操作模式供使用者选择，而且可任意搭配CCD或CIS感应器输入，应用范围广泛。     据介绍，该处理器16位高分辨率的设计，使其可运用在负片扫描仪及其它高阶扫描仪产品上。在封装上，HT82V26A提供无铅纯锡的28引脚SSOP及SOP封装。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：29696
    • 提供者：weixin_38699757

  1. CMOS器件抗静电措施的研究

  2. 由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS器件不受损伤。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-31
    • 文件大小：529408
    • 提供者：weixin_38663151
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