通过改变一个薄电介质层的折射率来研究其对金属电介质金属光子晶体（M-D-MPhC）强透射特性的影响。采用与CMOS工艺兼容技术制作了由折射率分别为[nd（SU-8）=1.6,nd（SiO2.1N0.3）=1.6和nd（SiO0.6N1）=1.8]组成的三个正方形晶格圆孔阵列M-D-MPhC结构，利用傅里叶变换红外光谱仪测量其透射光谱。实验结果发现，金SiO2.1N0.3金结构能够获得较强的光透射增强效果和较窄的透射峰，证明了M-D-MPhC强透射特性既与中间电介质折射率大小有关，又与其材料制作工