通过在一维连续性方程光电子产生函数项中加入短波约束因子，修正了指数掺杂和均匀掺杂透射式GaAs光电阴极量子效率公式。利用修正的透射式阴极量子效率公式分别拟合制备的指数掺杂和均匀掺杂透射式阴极量子效率，实验曲线符合得很好。另外拟合得到的阴极性能参数表明，由于内建电场的作用，指数掺杂阴极的性能要好于均匀掺杂阴极，指数掺杂结构能够明显提高透射式阴极的量子效率。