本文计算了掩蔽与选择性热氧化GaAs-GaAlAs多层结构中的应力与光弹性效应.提出介质洛埃镜干涉法,直接观测了GaAs上掩蔽生长热氧化膜引起的应力-光弹性效应的折射率分布,测量结果在定性和数量级上与理论计算一致.本文也扼要介绍了应力和光弹性效应对半导体激光器特性的影响及应用于集成光学的可能性.