随着半导体Craft.io的发展，处理器集成的片上缓存越来越大，传统存储器件的漏电引起的问题日益严峻，如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战。为解决这些问题，大量研究为探索自转扭矩RAM（STT-RAM），相变存储器（PCM） ，电阻RAM（RRAM）和域壁内存（DWM）新型新型插入性存储器（非易失性存储器，NVM）架构缓存的方法，对比了其与传统存储器件的物理特性，讨论了其架构缓存的优缺点和适用性，重点分类并汇总了其架构缓存的优化方法和策略，分析了其中针对的新型插入性存储器写入高，写寿命有限