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  1. IGBT原理介绍

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力,既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点,这使得IGBT成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件,并且得到越来越广泛的应用。 本文主要介绍了IGBT的结构
  3. 所属分类:电子政务

    • 发布日期:2013-08-08
    • 文件大小:448512
    • 提供者:shenbubu
  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路,主要工作内容是升压和降压,广泛应用于现代电子产品,因为开关三极管总是工作在开和关的状态,所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38743602
  1. 元器件应用中的IGBT的常识及使用注意事项

  2. 一、IGBT管简介   IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的简称,它是80年代初诞生,90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点,其频率特性介于MOS-F
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:105472
    • 提供者:weixin_38631225
  1. 基础电子中的浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。   一、背景   绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有MOS输入、双极输
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:104448
    • 提供者:weixin_38634065
  1. 新型高耐压功率场效应晶体管

  2. 摘要:分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾,介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构,分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理,介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。关键词:内建横向电场;耗尽层;导通电阻;短路安全工作区NewTypeofHighVoltageMOSFETCHENYong-zhenAbstract:ThecontradictionbetweenwithstandvoltageandonresistanceofhighvoltageMOSFETi
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-03
    • 文件大小:119808
    • 提供者:weixin_38618312
  1. 浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。   一、背景   绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有MOS输入、双极输
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:103424
    • 提供者:weixin_38712279