结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的载流子迁移率和亚阈值斜率的温度系数。基于SMIC0.13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在温度为-55~90℃的范围内，输出电压的温度系数为5ppm/℃。在室温时，整个电路能在低到0.9V的电源电压下工作并消耗0.68μW的功耗。