在过去15年中，移动手机设计的整体发展趋势已经涉及到大规模集成度。这种趋势将继续，为未来的多频多模式手机提供性能和成本优势。由于目前多家公司的RF开发进展，我们可以期待具有2G和3G功能的手机，并在电路板上留出更多的空间，实现更大的内存、处理能力及更加高级的应用。

CMOS设计人员多年来一直把各种功能集成到大型集成电路中。大家已经看到，摩尔定律在日常生活中给性能和成本带来了难以置信的影响。在移动通信终端中，许多元器件要么已经集成到RFIC中，要么因直接数字上/下变频器的出现而消失。 在通信终端中，到目前一直有两个RF元器件没有集成，即滤波器和RF功放器，这两种器件采用的构建技术都不兼容芯片上CMOS集成。在传统上，滤波器一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。 　　由于这些技术与

CMOS设计人员多年来一直把各种功能集成到大型集成电路中。大家已经看到，摩尔定律在日常生活中给性能和成本带来了难以置信的影响。在移动通信终端中，许多元器件要么已经集成到RFIC中，要么因直接数字上/下变频器的出现而消失。 在通信终端中，到目前一直有两个RF元器件没有集成，即滤波器和RF功放器，这两种器件采用的构建技术都不兼容芯片上CMOS集成。在传统上，滤波器一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。 　　由于这些技术与