作为釆用III-V族化合物半导体晶片制作光电器件时费用上最上算的一种方法，即金属有机物化学汽相沉积（MOCVD)法，正在加入半导体生产技术的主要行列。MOCVD法除有控制性好及生产率高等优点外，还能比现在流行的液相外延法制作出更大的晶片。虽然分子束外延法控制性更好，但其设备费用较高，产量也较低。