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搜索资源 - 日本半导体分立器件型号命名方法
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三极管,场效应管参数大全
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波
所属分类:
C
发布日期:2008-09-15
文件大小:210944
提供者:
noraml
晶体管命名法
介绍了中国国家标准(GB—249—74)规定的中国半导体器件型号命名方法 日本工业标准(JIS-C-7012)规定的日本半导体分立器件型号命名方法 国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名法 美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名方法
所属分类:
嵌入式
发布日期:2012-03-22
文件大小:121856
提供者:
akira_
日本半导体分立器件型号命名方法
日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:35840
提供者:
weixin_38676851
半导体行业的发展各国半导体命名方法
中国半导体器件型号命名方法 二、日本半导体分立器件型号命名方法 三、美国半导体分立器件型号命名方法 四、 国际电子联合会半导体型号命名方法 欧洲有些国家命名方法半导体的英文及解释
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-27
文件大小:162816
提供者:
weixin_38537941
基础电子中的全球元器件名命规则大全,听说你还没有看过?
一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:300032
提供者:
weixin_38672962
元器件应用中的日本半导体器件型号的命名
日本生产的半导体器件型号,均按日本工业标准JIS一C一7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。 日本晶体管型号命名由五个基本部分组成其符号及其含义见表。 表:日本半导体器件型号命名方法
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-23
文件大小:126976
提供者:
weixin_38718690
元器件名命规则大全,听说你还没有看过?
一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN型硅
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:247808
提供者:
weixin_38715831