SOl基片的构成如图1所示，顶层硅的厚度约为几微米，做为光波导的芯层材料；掩埋氧化层的厚度一般为0.5 gm，作为光波导的下包层，防止光场从衬底泄漏掉，所以只要氧化层的厚度大于光模的消逝场的尺寸，光就可以被有效的限制。表面一般也要淀积一层氧化层，作为上包层。 　　由于硅与二氧化硅之间大的相对折射率差（约42%），所以一般将SOl做成脊形光波导，下面我们就对SOl的脊形光波导利用有效折射率法进行较详细的分析。 　　有效折射率法的基本概念我们已经叙述过了，下面讲—下如何用有效折射率法来分析脊形光

平板光波导的利用面非常有限，因为它只能导引光波沿着一个固定的方向传播，这无疑限制了光波导的应用；实际最长用的光波导结构为三维光波导，它能自由地将光波导引到任意想要的方向。目前在OEIC中最常用的光波导结构包括矩形光波导和脊形光波导；其他光波导类型如金属包层光波导、扩散光波导、质子交换光波导等在光子或光电子集成回路中基本不用，所以本节着重叙述脊形和矩形两种光波导。 　　矩形光波导和脊形光波导的剖面如图1（a）、（b）所示。 　　我们来分析矩形光波导。由于矩形光波导的对称性，所以其偏振特性较好，

混合集成的光电子集成回路中光子器件和电子器件根据各自器件的材料结构和制作工艺的不同分别制作在不同的芯片上，通过焊接、封装等技术固化组合在一起。混合集成的光电子集成回路具有器件优化程度高，产品成品率高，可充分发挥光子器件和电子器件的性能，选择功能器件灵活等优点，集成后的OEIC体积小、功能多、性能大大提高，但是混合集成方式的集成度很低，很难实现大规模的生产，而且价格较高，在一定程度上限制了技术的发展和应用。近年来，对于集成光路的研究，以美国、日本、欧洲为中心，在世界各地持续高涨。外延生长和精细加工