目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40 Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不适合。随着信息技术的不断进步，对于光信息存储、光数据传输等应用，需要有大量低成本的光电集成电路（OEIC）投入使用。利用普通的硅基集成电路生产技术，在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小调整的基础上，将光电子器件与电信号处理电路集成在一起，无疑是最为理想的光电集成方式。目前硅

CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；若为N型衬底则将NM0S制作在P阱中，而将PMOS直接制作在衬底上。为了减少闩锁效应（latch－up）及独立优化N沟和P沟器件，人们采用双阱工艺。图1所示为双阱CMOS，包含N阱、P阱、局部氧化硅（LOCal Oxidation of Silicon，Locos）隔离、N＋多晶