将SIMOX和BESOI的步骤结合起来就形成了智能切割。将注入剂量为1017/cm2的氢离子注入到热氧化的基片中，形成高斯分布的轮廓。基片表面到氢离子峰值浓度的距离取决于注入能量，通常在几百纳米到几微米之间；而在氢离子浓度最高的地方，晶格损伤也最严重，价键也最弱。 　　离子注入之后，将两个同样的基片（其中一片可以没有热氧化层）接触并在室温下键合。然后在600℃和1100 ℃下退火，基片就会在氢离子浓度最高处裂开。然后通过CMP减小表面的粗糙度。 　　由于氢的质量较小，所以离子注入并不会对晶格