刻蚀即通过物理或化学的方法去除非光刻胶或硬掩膜覆盖区域的材料。通常有两种方法，分别为干法刻蚀和湿法刻蚀，它们各有优缺点。但对于工艺灵活性、刻蚀精确度和可重复性等方面来说，干法刻蚀居主导地位。 　　对于SOl波导（尤其是矩形单模波导）或者光子晶体的制作来说，由于其波导尺寸极小（波长量级），在波导壁也具有较多光场分布，这时刻蚀工艺对波导传输损耗的影响就相当大了，所以这种小尺寸波导的刻蚀工艺需要严格控制其侧壁粗糙度，使其尽量光滑，以使其光损耗尽量减小。减小波导侧壁粗糙度的具体方法可参考波导损耗一节。

脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（Critical Dimension）目前已经减小至65 nm，对于光波导来说已经绰绰有余了。然而对于一般的大截面脊型光波导的制作，只需采用成本较低的接触式曝光机，其分辨率一般为1 gm左右。而若制作光子线或光子晶体波导则需采用极紫外光刻机（一般波长为248 nm或193 nm），这时光学临近效应就显得重要了，通常需要较复杂的补偿技术。