对于SOl波导来说，CVD技术一般用来淀积其上包层，通常为二氧化硅或氮化硅。 　　对于调制器等有源器件来说，这一层还起着隔离金属电极减小电极对波导造成损耗的作用，所以厚度一定要选择合适，不能太薄，如果薄了就不能起到隔离金属的作用；但也不能太厚，因为如果太厚，金属覆盖也存在问题。 　　对于波导器件如波导分束器（Y分支、S弯曲分支）等器件来说，波导上包层的覆盖比较困难，因为这种分支的角度一般很小（小于1°），直接导致分支间距很小，这就存在着上包层覆盖填充的问题，如果填充不好，就会留有空隙，对波导

对于大截面的SOl光波导来说，顶层硅的厚度不一定能满足要求。这时候就需要外延生长一定厚度的硅。一般的外延技术采用化学气相沉积CVD（Chemical Vapor Deposition）来实现。CVD是一种利用气体混合物发生反应，从而在硅表面淀积一层固态硅单晶薄膜的方法。对于硅来说，二氯甲烷是一种常用的气体源，硅表面温度需升高到1 000°C来提供能量，驱动化学反应。若用MBE（分子束外延）方法生长单晶硅，则气态和固态源均可以用。但一般光波导用的硅外延生长以CVD占主导地位，因为它可以在较短的时间