穿通效应（Reach-Through Effect）。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时，穿通效应的影响就会很重要。当两个阱中电路为模拟电路时，阱的电位可能互不相同。当两个阱的电位之差足够大时，阱的耗尽区向外扩展并可能相互接触，如图1所示。从而在两个阱之间形成穿通电流，造成模拟电路直流工作点偏移。如果衬底是轻掺杂的外延层，那么就更容易形成较宽的耗尽区，也就是说，在版图设计的时候，同类型阱之间的距离要比普通的CMOS工艺所规定的值稍微大一些。 　　图1  相同类型阱之间的穿通效应 　　综