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  1. 显示/光电技术中的量子效率和响应度

  2. 量子效率可以分为内量子效率ηi和外量子效率ηo ,它是半导体光电探测器最重要的指标。内量子效率定义为吸收一个入射光子能够产生的电子-空穴对个数，即 　　由于ηi与材料的吸收系数α，以及吸收层的厚度W相关，因而可表示为［10］ 　　式中，a（λ）是对应波长λ的吸收系数。由上式可见材料的吸收系数越大，或者吸收层越厚，光电探测器的量子效率就越高。在实际的光电探测器申，光不可能直接由材料表面达到吸收区，而是要经过一定的厚度的重掺杂接触区，在这个区域内会造成一部分光子损耗，同时在光电探测器表面

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 显示/光电技术中的光电探测器性能的参数

  2. 表征光电探测器性能参数主要有：量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。其中量子效率和响应度表征了光电探测器将入射光转换成光电流本领的大小，频率响应表征了光电探测器工作速度的快慢，噪声和探测度表征了光电探测器所能探测到最小的入射光能量。 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）   来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：21504
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 显示/光电技术中的光电探测器响应度随波长变化曲线

  2. 在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏压下的响应度，在没有偏压下响应度为14.8 mA/W，相应的外量子效率为6.4%。在-5V偏压下响应度可达55 mA/W，外量子效率和内量子效率分别为22.5%和28.1%。 　　由于AlxGa1-xN中Mg的激活能随会Al组分而变化，如图1所示Al组分越高，Mg的激活能也就越大。这样在高Al组分的p-Al 0.4Ga

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38731479

  1. 显示/光电技术中的GaN PIN光电探测器结构

  2. 为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中，本征层起到了至关重要的作用，其厚度需要认真优化，因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3－25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四，首先在600°C下淀积⒛nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底，接

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38663443

  1. 显示/光电技术中的集成横向PIN光电二极管

  2. 图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管［59～60］。 　　图1   NMOS集成横向PIN光电二极管 　　由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上，因而I层的厚度可以和51材料中870 nm光注入的吸收深度（20 gm）相比拟。因而该PIN探测器的量子效率较高，在未增加抗反射涂层，5 V反向偏压条件下，可测得670 nm波长下响应度为0.32 A/W，870 nm波长下的响应度为6.45 A/W，换算成外部

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38625184