图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管［59～60］。 　　图1   NMOS集成横向PIN光电二极管 　　由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上，因而I层的厚度可以和51材料中870 nm光注入的吸收深度（20 gm）相比拟。因而该PIN探测器的量子效率较高，在未增加抗反射涂层，5 V反向偏压条件下，可测得670 nm波长下响应度为0.32 A/W，870 nm波长下的响应度为6.45 A/W，换算成外部