在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带示意图LZII。在p＋-InP上生长n-InGaAsP，再通过衬底注入锌形成InGaAsP的pn结，最后覆盖一层n-InP。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻，阻止了光生载流子向表面扩散引起的复合。 　　图1 

虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率，但是它无法将光生载流子放大，因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光，我们希望光电探测器具有内部增益，即少量的光生载流子在倍增电场作用下能产生较大的光生电流。雪崩光电二极管就是这样一种光电探测器，它是一种具有内部增益、能将探测到的光电流进行放大的有源器件。APD的工作原理为雪崩电离效应，即在＋n结附近有一高电场，光生电子和空穴在该区中被加速，获得很高的能量。如果载流子能量足够大则它将会去碰撞晶格原子，使束缚的电子电离，