随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注，但高电压(40V以上)工艺在中国基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺：锑注入，外延生长之后的光刻对准和非金属硅化物接触孔等。此外，由于成本的控制以及保证相当的市场竞争力，该套工艺开发的掩模版层数相当少，只有16层，这就给器件的调整带来了极大的复杂度和难度，往往“牵一发而动全身”，一次器件的调整往往同时影响好几种器件，顾此失彼。而且还要面临良率的问题，我们的目标是要将良率做到90%以上。基于