反射型SEED光调制开关列阵，要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用。器件 工作时，光垂直于器件表面从P区入射，经过多量子阱i区时，一部分光被i区吸收，透射过i区的光被底部DBR高反 射层反射，又经过多量子阱i区吸收后，到达器件表面。但由于顶部的GaAs与空气介面对光强的反射率为30％，光 将在顶部GaAs／空气界面和底部DBR高反射层之间多次反射，构成了ASFP腔。分析表明，只有当从器件表面反射到 空气中的光与ASFP腔中吸收又被底部DBR反射到空气中的光相位相反且振