随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上均匀生 长原子量级的超薄层田，通过两种半导体材料的交替生长，形成一系列周期性的势垒和势阱，这就是所谓的超晶 格量子阱结构卩引。在量子阱中，由于电子的平均自由程大于势阱的宽度，将产生量子尺寸效应，态密度由体材 料的连续抛物线形变成量子阱中的台阶形，台阶形态密度分布使注入量子阱中电子、空穴能量分布更为集中，大 大提高了注入载流子的利用效率，由于量子阱材料吸收带边比体材料要陡直得多，因而吸收损耗系数至少降