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搜索资源列表

  1. 晶体管型号大全晶体管，场效应 ，高频管。

  2. 晶体管，场效应 ，PNP ，NPN ，NPN( 带阻尼 )，高频管，晶体管型号大全。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：190464
    • 提供者：czm321654

  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：210944
    • 提供者：noraml

  1. 实验6-结型场效应管共漏放大电路实验.pdf

  2. 实验目的： 学习了解场效应晶体管放大电路的基本结构、原理、测试过程。通过实验、仿真，了解JFET主要参数的获取、电路的静态工作点、增益等参数的计算和测试方法。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2020-03-03
    • 文件大小：528384
    • 提供者：qq_43583781

  1. 分子自组装膜在石墨烯场效应晶体管中的应用研究

  2. 分子自组装膜在石墨烯场效应晶体管中的应用研究，李哲峰，，本文主要介绍一种场效应晶体管的制备方法。通过组装单层的十三氟辛基三甲氧基硅烷、9-蒽甲基磷酸和3-氨基丙基三甲氧基硅烷的分子�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：418816
    • 提供者：weixin_38693720

  1. LaAlO3/SrTiO3基场效应晶体管的开关性能研究

  2. LaAlO3/SrTiO3基场效应晶体管的开关性能研究 ，吴曙翔，，通过激光分子束外延在以TiO2为终止面的SrTiO3(001)衬底上外延制备10晶胞层厚度的LaAlO3薄膜。构建以LaAlO3/SrTiO3界面二维电子气为沟道层、LaA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-03
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38689922

  1. 双PN通道增强型场效应管

  2. 这些双N和P沟道逻辑电平增强模式 场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的 专有的，高密度，DMOS技术。这很 高密度的过程特别是针对减少 通态电阻。该器件的设计 特别是对于低电压应用，以替换 数字晶体管负载开关应用。由于偏置 电阻不需要此双数字FET可以取代 几个数字晶体管具有不同的偏置电阻。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-08-31
    • 文件大小：280576
    • 提供者：qq_24099995

  1. 5000种型号场效应管参数

  2. 5000种型号场效应管参数下载，很齐全的晶体管参数。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-11-29
    • 文件大小：42991616
    • 提供者：puppet4000

  1. 场效应晶体管

  2. 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-12-05
    • 文件大小：274432
    • 提供者：danzey

  1. 巧识晶体管_场效应管电路符号的意义.pdf )

  2. 从箭头符号来学二极管，晶体管、场效应管的电学符号

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-10-14
    • 文件大小：160768
    • 提供者：tianya1288

  1. 增强型和耗尽型场效应晶体管

  2. 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38720997

  1. 场效应管放大电路的直流偏置电路

  2. 什么是偏置电路晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路。场效应管偏置电路场效应管偏置电路为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提供直流电流和直流电压的电路。叫做直流（静态）偏置电路，简称偏置电路由于各种电子电路对偏置电路有不同的要求，所以在实际电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38545517

  1. 场效应管的特点及作用

  2. 场效应管的特点 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 场效应管的作用 1.场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38663452

  1. 三极管与场效应管选用技巧

  2. 场效应晶体管挑选的必要性 随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管，因此正确挑选场效应晶体管是硬件工程师常常碰到的难点之一，也是极其重要的1个环节，场效应晶体管的挑选，有可能直接影响到一整块集成运放的速率和制造费，挑选场效应晶体管，可以从下列六大技巧下手。 1、沟道类型 挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38617615

  1. 模拟技术中的场效应管特性及单端甲类功放的设计

  2. 场效应管(场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小)不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼)，一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性，对普通晶体管来说，就是发射极和集电极互换，对电子管来说，就是将阴极和阳极互换。 　　场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：189440
    • 提供者：weixin_38736760

  1. 元器件应用中的常规场效应管的识别与检测

  2. 场效应管与晶体管相似，但两者的控制特性却截然不同，普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，即需要信号源提供一定的电流才能工作，因此，它的输入电阻较低。场效应管则是电压控制元件，它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以，它的输入阻抗很高。此外，场效应管还具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好、工作电流大（最大可达100A）、输出功率大（可达250W）等优点。因此，场效应管在液晶显示器中得到了广泛的应用。 　　场效应管按其结构的不同

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38638163

  1. 基础电子中的场效应管放大器实验原理

  2. 场效应管是一种较新型的半导体器件，其外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性截然不同。普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的日的，即信号源必须提供一定的电流才能I作。因此，它的输入电阻较低，仅有几千欧。场效应管则是电压控制元件。它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，可高达109～1010Ω，这是它的突出特点。此外，场效应管还具有热稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小等优点，所以现在已被广泛应用于放大电路和数字电路中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：129024
    • 提供者：weixin_38604620

  1. 工业电子中的用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

  2. 传统上，采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄，而凹形衬底又是高度掺杂的，因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高。为了可在薄的栅极氧化层不被击穿的情况下测量场效应管阈值电压，这儿提出了一种新的结构。其中多晶佳栅极限制在薄氧化区，但通过一个金属栅极产生的场感应沟道连接源区和漏区(图2)。这一器件是一个金属栅和多晶硅栅极复合晶体管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38537689

  1. 功能化六角形石墨烯纳米薄片的电子结构，场效应晶体管和双极场效应自旋滤波行为

  2. 功能化六角形石墨烯纳米薄片的电子结构，场效应晶体管和双极场效应自旋滤波行为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38694299

  1. 场效应管特性及单端甲类功放的设计

  2. 场效应管(场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小)不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼)，一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性，对普通晶体管来说，就是发射极和集电极互换，对电子管来说，就是将阴极和阳极互换。 　　场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：216064
    • 提供者：weixin_38728276

  1. 怎么选择三极管和场效应管，看这篇就够了

  2. 随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管，因此正确挑选场效应晶体管是硬件工程师常常碰到的难点之一，也是极其重要的1个环节，场效应晶体管的挑选，有可能直接影响到一整块集成运放的速率和制造费，挑选场效应晶体管，可以从下列六大技巧下手。 　　1、沟道类型 　　挑选好场效应晶体管电子元件的步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38566180
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