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搜索资源列表

  1. 晶振负载电容计算晶振负载电容计算

  2. 晶振负载电容计算晶振负载电容计算晶振负载电容计算

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-20
    • 文件大小：38912
    • 提供者：yekkk

  1. 编程设计- 晶振频率计算工具

  2. C51单片机软件编程，晶振频率计算工具，免安装。简单适用。

  3. 所属分类：Delphi

    • 发布日期：2011-05-15
    • 文件大小：438272
    • 提供者：xsh_lw

  1. 晶振CL电容及外接电容的计算及选择

  2. 晶振CL电容及外接电容的计算及选择

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-04-11
    • 文件大小：31744
    • 提供者：hero_hoo

  1. 晶振负载电容计算方法

  2. 描述如何计算晶振负载电容，记录相关注意点 从文档中可以了解

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-04-27
    • 文件大小：109568
    • 提供者：kroky1630

  1. 单片机晶振电路设计及布线指导

  2. 涉及常见单片机外围晶振电路设计及layout指导，晶振选型，晶振手册阅读指南，外围电容值计算等。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-25
    • 文件大小：500736
    • 提供者：weixin_40625584

  1. 晶振外匹配电容计算及晶振振荡电路设计经验

  2. 适合硬件工程师设计晶振振荡电路，高级硬件工程师多年工作的积累，值得拥有！

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-01-23
    • 文件大小：142336
    • 提供者：liuwan66

  1. 晶振计算工具

  2. 计算： 1.晶振的PPM换算； 2.晶振的累计误差计算； 3.晶振的负载电容计算； 4.晶振的匹配电容计算； 下载打开一用便知

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-09-17
    • 文件大小：139264
    • 提供者：lwylwy1

  1. STM32F401 16M晶振84M主频.zip

  2. 通常我们开发板使用的都是8M直插型晶振，当选用16M外部晶振的时候需要对库函数的时钟系统进行重新匹配计算。本资源以小钢炮开发板为例，修改正点原子的F4库函数模板

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2019-12-30
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：luoyesuifengfei

  1. 原理图设计规范-晶振电路设计规范-T-PD-031-A0.pdf

  2. 原理图设计规范-晶振电路设计规范.①&W ￡ CTRONICS原理图设计规范晶振电路设计规范文件编号:TPD031秘密 目的 .Ⅰ规范旵振电路设计,为相同规格的模块电路提供统一的标准,避免出现产品功能和性能的 缺陷。 适用范围 2.1本规范适用于本公司所有产品的晶振电路设计 职责 3.!产品审核部:负责原理图设计规范的拟定及维护,总结规范模块电路。 3.2各相关部门:遵守本规范并按要求执行 名词解释 41压电效应:压电晶体在沿一定方向上受到外力的作用而变形时,其内部会产生极化,在它 的两个相对表

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-10-09
    • 文件大小：238592
    • 提供者：jun03

  1. 晶振匹配计算工具---适合ST MCU软件工程师.7z

  2. 很多STM32开发工程师都会遇到晶振不起振的问题，其实很多原因就是因为晶振匹配没有做或者没有做好，这个晶振匹配工具强烈推荐，同时也建议花点时间看下里面的文档哦

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：nx505j

  1. 晶振负载电容计算（PCF8563举例）

  2. 关于晶振负载电容大小的计算，PCF8563例解

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-08-17
    • 文件大小：54272
    • 提供者：smallameng

  1. 晶振选型和外围电路设计

  2. 本pdf是意法半导体题的学习资料，主要介绍了晶振的结构原理，选型，和外围电容电阻的计算。是一个对晶振介绍非常详细的文章。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-06-21
    • 文件大小：401408
    • 提供者：gxy198715a

  1. 单片机中晶振对波特率的影响

  2. 本篇文章介绍了51单片机当中晶振和波特率的关系，并用数值进行了计算。希望大家在阅读过本篇文章之后能对两者的联系有进一步的了解。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-10
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38714370

  1. 基础电子中的单片机中晶振的作用

  2. 单片机工作时，是一条一条地从RoM中取指令，然后一步一步地执行。单片机访问一次存储器的时间，称之为一个机器周期，这是一个时间基准。-个机器周期包括12个时钟周期。如果一个单片机选择了12MHz晶振，它的时钟周期是1/12us,它的一个机器周期是12×（1/12）us,也就是1us. 　　MCS-51单片机的所有指令中，有一些完成得比较快，只要一个机器周期就行了，有一些完成得比较馒，得要2个机器周期，还有两条指令要4个机器周期才行。为了衡量指令执行时间的长短，又引入一个新的概念：指令周期。所谓指

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：32768
    • 提供者：weixin_38749305

  1. 基础电子中的晶振的负载电容怎么计算？

  2. 常规的负载电容20pF，负载电容就是32pF比较匹配 　　晶振的负载电容公式=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 　　式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf。因此，晶振的数据表中规定12pF的有效负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容）。两边电容为Cg,Cd,负载电容为Cl,   cl=cg*cd/(cg+cd)+

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38592332

  1. 基础电子中的宽范围高稳晶振频率稳定度测试系统的设计

  2. 0 引 言 　　高稳定度石英晶体谐振器(简称高稳晶振)是广泛应用于通讯、电子对抗、数传电台、计算机等电子信息产品的重要器件。高稳晶振的指标直接影响产品的可靠性，因此如何检测其性能是非常重要的。 　　代表性测量仪器是频稳测试系统(误差倍增器+多路开关)。其原理是将被测频率源的频率起伏△f进行倍频，然后再用频率计数器进行测频来计算准确度、老化率、日波动等指标。在频稳测试系统的设计中，信号源是一个重要的组成部分。其作用为产生高性能的输出频率(1～100 MHz)可设定的钟信号，与被测晶振的信号进行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：191488
    • 提供者：weixin_38597990

  1. 晶振load cap计算方法

  2. 原来晶振里面的load capacitance的值是跟外界的电容值是不一样， 这个我找到的计算方法，供参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-20
    • 文件大小：360448
    • 提供者：hyx317354

  1. 单片机中晶振的作用

  2. 单片机工作时，是一条一条地从RoM中取指令，然后一步一步地执行。单片机访问存储器的时间，称之为一个机器周期，这是一个时间基准。-个机器周期包括12个时钟周期。如果一个单片机选择了12MHz晶振，它的时钟周期是1/12us,它的一个机器周期是12×（1/12）us,也就是1us. 　　MCS-51单片机的所有指令中，有一些完成得比较快，只要一个机器周期就行了，有一些完成得比较馒，得要2个机器周期，还有两条指令要4个机器周期才行。为了衡量指令执行时间的长短，又引入一个新的概念：指令周期。所谓指令周

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38698539

  1. 晶振的负载电容怎么计算？

  2. 常规的负载电容20pF，负载电容就是32pF比较匹配 　　晶振的负载电容公式=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 　　式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf。因此，晶振的数据表中规定12pF的有效负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容）。两边电容为Cg,Cd,负载电容为Cl,   cl=cg*cd/(cg+cd)+

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38671048

  1. 晶振与负载电容怎么搭配才好

  2. 晶振的老搭档负载电容分为C1和C2两个贴片电容，负载电容的作用就是消减其他杂波所带来的干扰，从而提高电路的稳定性。大家在选择负载电容时，可以按照电容的具体大小计算公式是(C1*C2)/(C1+C2)+6.24。这个计算公式只是一种方法知道电容的大小，但是按照晶振厂家所配对好的负载电容值，这样会减少很多其他干扰。　　晶振都有各自的特性，还是要结合实现来判断电容的大小值。在两者内，C1和C2值越低越好。C2值大于C1值，C2值偏大虽有利于振荡器的稳定，比较常用的取值是15p-30p之间。　　在实际电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38601311
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