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搜索资源列表

  1. 晶体晶面间距计算软件

  2. 晶体晶面间距计算软件，可以计算不同的晶面的晶面间距。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-05-18
    • 文件大小：20480
    • 提供者：sdhizhj

  1. 超高压力对ZA27合金晶体结构及组织细化的影响

  2. 超高压力对ZA27合金晶体结构及组织细化的影响，曹修生，李荣徳，研究了高机械压力作用下锌铝27合金的晶体结构与组织变化特征。常压与超高压5GPa比较下，富铝 相在（200）与（220）晶面处，晶面间距�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：861184
    • 提供者：weixin_38556668

  1. 溶剂萃取后构造煤的微晶及化学结构参数变化特征

  2. 以山东腾南煤田金源矿为研究区,采集不同煤体破坏程度的煤样,通过溶剂分级萃取实验,利用X射线衍射（XRD）和核磁共振（NMR）测试技术,对比分析了萃取前后煤样的微晶结构参数,探讨了化学结构特征参数的变化规律。研究表明:（1）在不同溶剂的分级萃取下,不同煤体结构煤的累计萃取率从小到大依次为原生结构煤、碎裂煤、碎粒煤、糜棱煤,其中THF溶剂对各类煤样的萃取率最大;（2）溶剂萃取后,各类煤样的碳原子网面间距(d002)、堆砌度（Lc）和延展度（La）均大于原煤。随着萃取级数的增加,各煤样的碳原子网面间距

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-24
    • 文件大小：443392
    • 提供者：weixin_38520275

  1. 高煤级煤—隐晶质石墨的Raman 光谱表征及结构演化

  2. 拉曼光谱能够反映碳材料结构的有序程度和结构缺陷，可用来表征高煤级煤—隐晶质石墨演化过程中结构变化。通过对受岩浆热变质影响的不同变形变质程度样品的拉曼参数与面网间距(d002)之间关系的研究表明：G 峰位置与d002 呈现阶梯变化，能较好地区分出石墨与高煤级煤，S2 峰位、D1 与G 半峰宽与d002 呈较好的线性关系；D1 与G 峰峰位差和半峰宽比随d002 减小而减小，S2 与S4峰的峰位差随d002 减小先增大后减小，而其强度比及面积比逐渐增大；d002 与拉曼参数关系显示两次明显的结构演化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-10
    • 文件大小：826368
    • 提供者：weixin_38716081

  1. 半焦制铸造型焦的碳微晶结构X-衍射分析

  2. 利用X-射线衍射仪对铸造型焦的碳微晶结构进行分析,研究其微晶结构随温度变化的规律.谱图上出现了002晶面和100晶面衍射峰,并且衍射峰在形状上的变化表现出一定的规律性.研究发现,随着炭化温度的升高,2θ衍射角逐渐增加,002晶面和100晶面半峰宽逐渐减小,芳香片层间距d002相应减小,而芳核有效堆砌高度Lc和层面直径La则逐渐增加,型焦的结构趋于芳构化和有序化.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38731027

  1. 工业电子中的浅谈Lenze伺服系统在非晶制带机组中的应用

  2. 摘要：根据非晶带材对带厚和横向厚差的要求，结合Lenze伺服系统在非晶制带机组上的应用，简要介绍了Lenze伺服装置的特性、工作原理以及在位置伺服系统中的使用效果。 　　关键词：Lenze伺服装置；位置闭环控制 　　1 引 言 　　非晶制带过程中，调节喷嘴与冷却辊间距大小来控制带材厚度和横向厚差，喷嘴与冷却辊的间距控制精度是带材厚度精度的关键之一，本文介绍了Lenze伺服系统在高精度位置控制系统中的应用。图1是喷嘴包与冷却辊辊面间距的示意图，制带时，喷嘴包中的钢水经过喷嘴流到冷却辊面上，冷却辊以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：180224
    • 提供者：weixin_38617436

  1. PCB技术中的倒装晶片的组装的助焊剂工艺

  2. 助焊剂工艺在倒装晶片装配工艺中非常重要。助焊剂不仅要在焊接过程中提供其化学性能以驱除氧化物和油污 ，润湿焊接面，提高可焊性，同时需要起到黏接剂的作用。在元件贴装过程中和回流焊接之前黏住元件，使其固 定在基板的贴装位置上。此类阻焊剂相比于其他普通的助焊剂有更高的黏度，它需要提供足够的黏力来保证晶片 在传输过程中及回流焊接炉中不发生移动。 　　我们之所以选择助焊剂而非锡膏，是因为超细间距的锡膏印刷会有很大的“桥连”风险；同时考虑到混合装配 工艺的兼容性，免洗型助焊剂是一个比较好的替代方案。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：403456
    • 提供者：weixin_38565628

  1. Crystal-Calculate.exe

  2. Crystal-Calculate可以通过提供晶胞参数一键计算出任意晶面的晶面间距，及任意两个不同晶面的晶面间距和晶面夹角，是研究晶体学的一个好帮手

  3. 所属分类：互联网

    • 发布日期：2021-03-01
    • 文件大小：60416
    • 提供者：chenhanming20

  1. 利用平晶谱仪测量谱线波长的新方法

  2. 为了满足激光等离子体X射线波长测量的需要,在辅助光阑法的基础上,从理论上提出了一种用平面晶体谱仪确定波长的新方法。发展了改进的辅助光阑法来确定晶体面与记录面的交线到第一条辅助光阑的距离,并且利用某一条谱线的曲率得到记录面与晶体表面的夹角。这两个参量在一般的辅助光阑法中需借用参考谱线得到,而采用新的方法可在不使用任何参考谱线的情况下得到所有光谱线的波长。实际使用中通过增大光阑间的间距,根据不同的波长范围调节晶体与记录面的相对位置,可使波长的测量精度达1×10-3 nm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：818176
    • 提供者：weixin_38682161

  1. 真空环境中脉冲激光烧蚀制备纳米银晶薄膜的生长特性

  2. 采用XeCl准分子脉冲激光,在室温、真空环境下烧蚀银靶,通过改变激光能量密度和靶衬间距,在与靶面平行放置的Si(111)衬底上沉积了一系列纳米银晶薄膜。利用扫描电镜以及X射线衍射仪、选区电子衍射技术对薄膜进行表征,结果表明:薄膜由不同尺寸的银纳米晶粒组成;在固定激光能量密度的条件下,随着靶衬间距增加,薄膜的厚度和晶粒尺寸逐渐减小,晶粒间的聚合程度减弱,薄膜(111)晶面的XRD特征谱线强度减弱,(200)晶面的特征谱线强度增强;在固定靶衬间距的条件下,随着激光能量密度的增大,薄膜的厚度和晶粒尺寸

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：weixin_38564003

  1. 石墨烯纳米片对电极染料敏化太阳电池

  2. 将经球磨处理的鳞片石墨作为前驱体采用氧化还原法制备石墨烯纳米片（GNs），考察晶体结构变化。将GNs作为催化材料应用于染料敏化太阳电池（DSCs），探讨GNs对电极经热处理对器件光电性能的影响。结果表明，采用球磨对鳞片石墨进行预处理，能改进GNs的晶体结构，即厚度减薄、晶面间距d(002)增大。晶体结构改进后的GNs具有更高的催化活性和更强的氧化还原对扩散能力，相应地，DSCs的转换效率得到大幅度的提升。GNs对电极经热处理，能进一步提高对电极的催化活性以及氧化还原对扩散能力，最终促使器件的转换

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38543460

  1. 扫描速率对激光熔覆Cu80Fe20偏晶涂层组织与耐磨性能的影响

  2. 采用激光熔覆技术制备了Cu80Fe20偏晶涂层, 研究了扫描速率对液相分离特征以及偏晶涂层显微硬度、耐磨性能的影响。研究结果表明： Cu80Fe20偏晶涂层内出现了分层现象, 大量由体心立方结构α-Fe、面心立方结构γ-Fe组成的富铁颗粒弥散分布于上层的面心立方ε-Cu基体内, 大量面心立方ε-Cu富铜颗粒分布于下层的α-Fe基体内; 随着激光扫描速率增大, 激光熔池的冷却速率增大, 富铁颗粒粒径逐渐减小, 面密度逐渐增大, 相邻富铁颗粒间的间距减小, 富铁颗粒对铜基体的阴影保护效应增强, 使得

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：19922944
    • 提供者：weixin_38609571

  1. 非晶硅薄膜太阳能电池的紫外激光制绒工艺

  2. 为了提高非晶硅薄膜电池的转换效率和稳定性，采用纳秒紫外激光进行透明导电薄膜制绒，改变激光工艺参数，研究激光功率密度、重复频率、刻蚀速度和填充间距对透明导电薄膜电学、光学和晶体结构特性的影响；并根据不同制绒方式制备电池，比较其输出性能。实验结果证明：当激光功率密度P=0.85×105 W/cm2，刻蚀速度v=600 mm/s，重复频率f=50 kHz，填充间距Δd=0.012 mm时，获得薄膜方块电阻较小，陷光效果良好的绒面结构，有效地增强了电池吸收率，提高了电池的转换效率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38635684

  1. 不同氧分压下直流反应溅射ZnO薄膜的结构和光学特性

  2. 在室温,不同氧分压条件下,采用Zn靶直流反应溅射在石英衬底上制备了具有纤锌矿结构(002)择优取向的ZnO薄膜。薄膜的生长速率随氧分压的增大而减小,在20％～30％之间存在一个拐点,在此点之前,溅射产额减小的速率很快,而在此点之后,溅射产额减小的速率减慢了很多,当氧分压在30％以上时,溅射过程中Zn的氧化在靶表面就已经完成。通过单振子模型分析了薄膜的光学特性,采用X射线衍射的方法对薄膜的晶粒尺寸和应力进行分析。研究结果表明在氧分压20％以上时,薄膜在可见光波段具有较好的光学透明性和很高的电阻率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：717824
    • 提供者：weixin_38734276

  1. 软X射线分光晶体马来酸氢十八酯

  2. 马来酸氢十八酯(OHM)是一种大晶面间距(2d=63.5A)X射线分光晶体,在适用的波长范围内。其X射线衍射性能优于硬酯酸铅皂膜假晶体(STE),晶体的物理化学性能稳定、机械强度好、易于加工。业已证明OHM晶体是一种软X射线理想的单色器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38682054

  1. 基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

  2. 用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2 )=9:1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200 ℃)能在保证薄膜85％以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：942080
    • 提供者：weixin_38724535

  1. 激光定向生长修复DZ125L柱状晶叶片力学性能研究

  2. 在DZ125L 定向基材上进行激光直接成形同种材料的定向生长修复，对修复后的DZ125L 熔覆组织进行了微观分析和常温力学性能测试，并对熔覆组织与定向基材的结合面强度进行了测试。结果表明：激光直接成形DZ125L的组织为外延生长的柱状晶组织，其一次枝晶间距为8~12 μm，二次枝晶退化，热处理后柱状晶尺寸增大为30~90 μm，柱状晶基体上析出大量均匀分布的γ′强化相；沉积态柱状晶组织的纵向抗拉强度为1312 MPa，延伸率为5.27%，热处理后柱状晶组织的纵向抗拉强度降低为1201 MPa，延

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38694674

  1. 浅谈Lenze伺服系统在非晶制带机组中的应用

  2. 摘要：根据非晶带材对带厚和横向厚差的要求，结合Lenze伺服系统在非晶制带机组上的应用，简要介绍了Lenze伺服装置的特性、工作原理以及在位置伺服系统中的使用效果。 　　关键词：Lenze伺服装置；位置闭环控制 　　1 引 言 　　非晶制带过程中，调节喷嘴与冷却辊间距大小来控制带材厚度和横向厚差，喷嘴与冷却辊的间距控制精度是带材厚度精度的关键之一，本文介绍了Lenze伺服系统在高精度位置控制系统中的应用。图1是喷嘴包与冷却辊辊面间距的示意图，制带时，喷嘴包中的钢水经过喷嘴流到冷却辊面上，冷却辊以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：232448
    • 提供者：weixin_38691319

  1. 倒装晶片的定义

  2. 什么元件被称为倒装晶片（FC）？一般来说，这类元件具备以下特点。 　　①基材是硅； 　　②电气面及焊凸在元件下表面； 　　③球间距一股为0.1～0.3 mm，球径为0.06～0，.15 mm，外形尺寸为1～27 mm； 　　④组装在基板后需要做底部填充。 　　其实倒装晶片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（WireBonding）与植球后的工艺而言 的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来， 故称其为“倒装晶片”

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38663415

  1. 倒装晶片的组装的助焊剂工艺

  2. 助焊剂工艺在倒装晶片装配工艺中非常重要。助焊剂不仅要在焊接过程中提供其化学性能以驱除氧化物和油污 ，润湿焊接面，提高可焊性，同时需要起到黏接剂的作用。在元件贴装过程中和回流焊接之前黏住元件，使其固 定在基板的贴装位置上。此类阻焊剂相比于其他普通的助焊剂有更高的黏度，它需要提供足够的黏力来保证晶片 在传输过程中及回流焊接炉中不发生移动。 　　我们之所以选择助焊剂而非锡膏，是因为超细间距的锡膏印刷会有很大的“桥连”风险；同时考虑到混合装配 工艺的兼容性，免洗型助焊剂是一个比较好的替代方案。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：609280
    • 提供者：weixin_38621272
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