随着半导体Craft.io的发展,处理器集成的片上缓存越来越大,传统存储器件的漏电引起的问题日益严峻,如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战。为解决这些问题,大量研究为探索自转扭矩RAM(STT-RAM),相变存储器(PCM) ,电阻RAM(RRAM)和域壁内存(DWM)新型新型插入性存储器(非易失性存储器,NVM)架构缓存的方法,对比了其与传统存储器件的物理特性,讨论了其架构缓存的优缺点和适用性,重点分类并汇总了其架构缓存的优化方法和策略,分析了其中针对的新型插入性存储器写入高,写寿命有限