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  1. 标准模型有效场理论中的衰变h→Zγ

  2. 我们在标准模型有效场理论(SMEFT)框架和线性Rξ-规中的一个回路中,计算了希格斯玻色子衰减到Z玻色子和光子h→Zγ的S矩阵元素。 我们的SMEFT扩展范围包括所有相关运营商,以华沙为基础,直到维度6都考虑到了,而没有采用任何风味或CP节约假设。 在此近似值范围内,有23个6维算子会影响振幅,不包括风味和厄米共轭。 壳上h→Zγ振幅的结果是轨距不变,重归一化尺度不变和轨距固定参数无关。 然后,将计算出的h→Zγ衰减宽度的SMEFT与SM期望值之比以半数值形式写出,这对于与相关过程进行进一步比较
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-18
    • 文件大小:441344
    • 提供者:weixin_38679045
  1. 在标准模型EFT中对希格斯玻色子的电弱校正衰减为γγ和W + W−

  2. 希格斯衰变以规范玻色子对是研究希格斯性质的关键因素,其中衰变H→γγ对新的物理效应特别敏感。 假设所有潜在的新物理学都发生在远远超过弱尺度的能量上,则可以根据标准模型有效场论(SMEFT)的系数来参数化与标准模型预测的偏差。 当SMEFT系数的实验极限达到百分之几的准确度时,必须进行超出SMEFT最低阶的预测才能使理论和实验准确度相匹配。 本文完成了一个对H→VV',V = W±,Z,γ的单环电弱SMEFT校正的计算程序。 对H→W +W-γ的实际贡献的计算是通过将两个回路的振幅映射到三体相空间
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-04
    • 文件大小:287744
    • 提供者:weixin_38693506
  1. SMEFT中h→b b \ $$ \ overline {b} $$衰减的NLO校正

  2. 我们在6维标准模型有效场理论(SMEFT)中计算了对h→b b \ $$ \ overline {b} $$衰减的全部次要前导(NLO)校正。 我们的计算为有效场论中这种衰减模式的精确研究奠定了基础,为NLO上出现的45维6维算子的贡献提供了解析和数值结果。 在技​​术方面,我们讨论了NLO SMEFT计算中的一些复杂问题,而这些尚未在文献中得到解决。 这些包括希格斯-Z混合中的微妙之处,电荷重整化,尤其是SMEFT中of的治疗。 特别是,我们强调了去耦关系在消除混合重归一化方案中消除潜在的大t
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-27
    • 文件大小:719872
    • 提供者:weixin_38729221