过滤：成果类别发表年份。输入标题检索个人成果..成果：12，引用：8，专利：0，专利交易金额：0万元排序：发表葡萄酒添加成果。标题/作者/来源/收录。 ...具有浮动n阱区的TIGBT，具有高dV / dt可控性和低EMI噪声。 程俊吉陈星bi Chen，XB（*）。IEEE电子设备快报，2018.4，39（4）：560〜563; SCIE。编辑...对电荷平衡超级结使用变化垂直掺杂的深沟道LDMOS的改进。成俊吉（＃）; 陈伟珍李平.IEEE电子设备学报，2018.4，65（4）：1404〜1