基于p +源/漏区和标准CMOS技术的n阱，通过UMC 0.18μm1P6M CMOSCraft.io设计并制造了两个具有不同花瓣结构的前向注入型Si-LED。 测量结果表明，两个Si-LED的发射光谱都位于峰值波长约为1130 nm的近红外区域，并且这些器件可以在2 V以下正常工作。当具有八瓣结构的TS2器件正向偏置时在200 mA时，其光功率不饱和地增加到1200 nW，在40 mA电流下，最大功率转换效率达到5.8×10 -6 ，几乎是四瓣TS1器件的两倍。 由于工作电压低和转换效率高的特