引言 　　在由N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路中，由于所选用场效应管的性能参数不同，在理论计算中要考虑多项因素而导致理论计算复杂、繁琐，并且难以理解。如何利用功能强大的Multisim仿真软件用形象、直观的图表诠释难以理解的理论，显得尤为重要。目前相关方面的研究很少，本文以某一型号N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路为例，进行静态、动态和温度特性分析，并且与理论计算结果对比，得出分压-自偏压共源放大电路的Multisim电路仿真分析方法。 　　1