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搜索资源 - 模拟技术中的对翟尔元件测量位移的研究试验及探讨
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模拟技术中的对翟尔元件测量位移的研究试验及探讨
O 引言 霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 霍尔元件是一种基
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:202752
提供者:
weixin_38737366