叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引起的一系列短沟道效应,进而描述整个MOS管模型的发展历史,以此说明一个精确模型对模拟电路设计的重要意义。然后进一步阐述因MOS管失配而引起电路性能变差,尤其是对整个D/A转换器性能的影响;进而采用改进技术,并对其进行了进一步验证。

随着微电子制造业的发展，制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫，从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化，所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。在短沟道CMOS电路中由于不匹配性引起的特性变化可能会限制器件尺寸的减小而影响工艺水平的发展，这样不匹配性的消除就显得更重要。 　　1 差分放大器性能 　　差分放大器的目的是抑制共模输出，增大差模输出。期望差模输出电压随差模输入电压的变化而成比例变化。任