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搜索资源 - 模拟技术中的英特尔联合美光研发高速NAND闪存技术
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模拟技术中的英特尔联合美光研发高速NAND闪存技术
据国外媒体报道,英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术,传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。 这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成,该技术符合最新的接口规范定义,即所谓的开放式NAND闪存接口(ONFi)工作组制定的ONFi2.0标准,该标准定义了高速NAND闪存接口速度为133MB/s。而先前的NAND闪存的传输数率最高不超过50MB/s。难怪当应用于固态硬盘之时,如此的传输数率将无疑会牵制相关程序的运行速度。 通过对双倍速率信令(double
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-24
文件大小:67584
提供者:
weixin_38732842