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  1. 无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计.pdf

  2. 无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计pdf,无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计口经验交流口 仪器仪表用户 △Vo Re t 12 瞬间下拉,进入系统的动态调节过程,输出电流增加 输出重新进入稳定状态点。同样,当负载电流瞬间减 3)瞬态特性 小,引起电路新的动态调节,最终进入稳定状态点。表 瞬态特性为负载电流突变时引起输出电压的最1给出LDO仿真结果。 大变化,它是输出电容C及其等效串联电阻Rs和旁 表1LDO仿真结果 路电容C的函数,其中旁路电容C的作用是提高负载 参数 典型值

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 电源技术中的一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

  2. 一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550605

  1. 电源技术中的一种高精度带隙基准电压源电路的实现

  2. 1　引言 　　近年来，模拟集成电路设计技术随着CMOS工艺技术一起得到了飞速的发展，芯片系统集成（sys2temonchip）技术已经受到学术界及工业界广泛关注。随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块，如A/D、D/A转换器，滤波器电路以及锁相环等电路提出了更高精度及速度的要求。由于带隙基准电压、电流源电路的输出电压及电流几乎不受温度和电源电压变化的影响，这就使得片内集成的带隙基准电压、电流源电路成了模拟集成电路芯片中不可缺少的关键部件。传统的基准电压源电路在0～70℃的温度范围内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38609002

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：197632
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 电源技术中的一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）

  2. 摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器，在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一，因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟，这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA,输出暂态电压最大变化为9 mV. 　　随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器（Low Drop-out Regulator,LDO）因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 模拟技术中的单芯片极窄微弱脉冲检测系统设计

  2. 摘要：采用0．18 μm CMOS工艺设计了一款单芯片集成极窄微弱脉冲检测系统，该芯片包括输入匹配、放大器、脉冲展宽器、驱动及带隙基准电压电流产生电路。为提高检测系统灵敏度，文章采用了多级放大器级联以及有源电感。测试表明该芯片可以检测1ns脉宽10mV的脉冲，输出数字信号，可以应用于00K系统接收机，接收超过40M数据率的清晰视频。该芯片低功耗、低成本，具有研究和实践推广价值。 　　0 引言 　　随着大规模集成电路的发展，单芯片方案由于成本低、体积小、功耗低等优点，被越来越多的电子系统所采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：274432
    • 提供者：weixin_38737751

  1. 模拟技术中的一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：251904
    • 提供者：weixin_38631182

  1. 电源技术中的一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

  2. 摘 要： 设计了一种可在低电源电压下工作，具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理，对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 umCMOS工艺模型，使用Hspice 进行模拟，设计的基准源输出电压为900 mV，电源电压可降低到1.1 V，温度系数为8.1*10-6/°C。 　　输出不随温度、电源电压变化的基准电压源，在模拟和混合集成电路中应用广泛，特别是在高精度的场合，基准电压源是整个系统设计的前提。 　　由于带隙基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：331776
    • 提供者：weixin_38694023

  1. 模拟技术中的一种折叠共源共栅运算放大器的设计

  2. 1 引言        随着集成电路技术的不断发展，高性能运算放大器广泛应用于高速模/数转换器（ADC）、数/模转换器（DAC）、开关电容滤波器、带隙电压基准源和精密比较器等各种电路系统中，成为模拟集成电路和混合信号集成电路设计的核心单元电路，其性能直接影响电路及系统的整体性能，高性能运算放大器的设计一直是模拟集成电路设计研究的热点之一，以折衷满足各种应用领域的需要。        许多现代集成CMOS运算放大器被设计成只驱动电容负载。有了这样只有电容的负载，对于运放放大器，就没有必要使

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38697171

  1. 模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38703468

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 电源技术中的一种改进的超低压电压基准源设计

  2. 1 概述 　　在便携式设备广泛使用的今天，低电源电压和低功耗已经成为模拟电路设计的主要主题之一。其中电压基准源是模拟电路设计中的关键模块，应用广泛。它一般要求低电源电压敏感性，低温度漂移特性。传统的基准源电路都是基于带隙基准，利用标准CMOS工艺中的垂直PNP管，但输出电压一般为1.2V左右。随着电路工作电压的继续下降，基准源的输出电压也需要下降。作为可供选择的另一种方案，可以利用阈值电压的不同温度特性产生电压基准。利用有选择的沟道注入，不同浓度的栅注入引入功函数之差。但以上均不适用于标准的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：137216
    • 提供者：weixin_38652090

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路的快

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：245760
    • 提供者：weixin_38586428