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  1. 煤矿乏风瓦斯氧化床取热空间特性对床层取热影响

  2. 在试验验证数学模型有效性的基础上,基于煤矿乏风氧化床的取热,采用数值研究的方法,研究了煤矿乏风瓦斯氧化床取热空间特性(蜂窝陶瓷填充率与蜂窝陶瓷开孔率)对取热的影响,计算结果表明:取热空间蜂窝陶瓷填充率增大时,一方面引起氧化床层物理流速的增大,换热器外壁周围的气体流速随之增大,强化换热器的对流换热;另一方面使与换热器进行直接对流换热的气体量减少,削弱换热器的取热;取热空间蜂窝陶瓷填充率增大对取热影响的矛盾两面性使换热器取热率呈现先增大后减小趋势,在填充率为0.49时,氧化床内置换热器取热率存在极大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-16
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38537689

  1. 基于BP神经网络的煤自燃温度预测研究

  2. 为了研究煤在氧化升温过程中CO、CO2、CH4、C2H6、C2H4等气体对温度的反馈作用,并通过各气体的数据准确预测煤自燃的温度。以赵楼煤矿为背景,采集部分煤样,放入煤自然发火实验炉中,通过数控程序系统,模拟煤自然发火时的漏风强度和供氧量,收集指标气体和温度等相关数据。采用气体成分分析法和神经网络算法建立BP神经网络预测模型,选取CO、CO2、CH4、C2H6、C2H4气体浓度作为神经网络的输入层,煤温作为输出层,设置8个隐含层神经元对煤自燃情况进行预测。结果表明:经过训练后,预测温度与实际温度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38685876

  1. 煤炭地下气化温度场动态扩展对顶板热应力场及稳定性的影响

  2. 为探索煤炭地下气化过程中煤层温度场扩展对顶板应力的热影响,利用相似材料制作大尺度顶板模拟内蒙古乌兰察布褐煤层顶板泥质软岩,对煤层温度场动态扩展条件下,顶板应力场扩展过程及顶板稳定性进行实验研究。结果表明,在模型实验中,顶板热应力的最大值可达1.5 MPa。在氧化区培育阶段和气化阶段,煤层温度场沿通道轴向平均扩展速率分别为0.018,0.028 9 m/h,顶板热应力场沿通道轴向扩展速率分别为0.015和0.027 m/h。氧化区培育阶段煤层温度场扩展主方向与裂隙方向一致,煤层温度场动态扩展与顶板

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-26
    • 文件大小：473088
    • 提供者：weixin_38678172

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 高抽巷抽采能力对采空区自燃危险性的影响研究

  2. 针对高抽巷不同抽采能力抽采瓦斯时的瓦斯治理效果和可能诱发的采空区自燃问题,以某矿主采煤层工作面构建采空区气体渗流模型,利用FLUENT数值模拟软件分析了不同抽采能力下的瓦斯治理效果和采空区自燃危险性。结果表明:当高抽巷抽采能力越大时,采空区内瓦斯浓度越低,氧化升温带的宽度越大,自燃危险性越高。依据研究结论,分析得出当高抽巷的抽采能力系数(η)为0.25～0.3时,可防止上隅角瓦斯超限、提高瓦斯抽采率和预防采空区自燃,对高瓦斯易自燃煤层高抽巷抽采能力的选择具有一定的指导意义。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-26
    • 文件大小：648192
    • 提供者：weixin_38738783

  1. 煤矿乏风瓦斯流入特性对填充床内置换热器取热的影响

  2. 在实验验证数学模型有效基础上,研究了气体流入特性对煤矿乏风氧化床内置换热器取热的影响,结果表明:填充床内置换热器取热率随床层入口气体质量流速均匀性指数的下降而减小,蜂窝陶瓷的存在导致气体流动单向导通、增大床层物理流速及辐射面积,使床层入口气体质量流速均匀性指数减幅相同时填充床内置换热器取热率减小幅度要比空床换热器大;床层入口气体平均质量流速不变时,内置热器取热率随床层入口气体温度均匀性变差而减小,温度分布不均同时引起流速分布不均,温度分布不均引起的取热率下降幅度要明显大于相同平均质量流速、温度下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：832512
    • 提供者：weixin_38678394

  1. 氧化层模型研究

  2. 在硅-硅键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先要对硅片进行表面亲水处理，使表面吸附OH集团，两硅片相接触产生氢键而互相吸引。表面处理使硅片的表面形成了一层氧化层。另外，在高温退火的过程中，界面上的羟基（－OH）发生聚合反应生成SiO2，Si－OH+OH－Si→Si－O－Si+H2O。因此键合硅片界面有氧化层存在。K.Y.Ahn分别用间隙氧扩散理论、球型化理论和晶向角度的取向误差理论深入地研究了氧化层的稳定性，认为在典型的退火条件下，界面氧化层厚度恒定[9]。实验也证明，在600

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38698403

  1. 硅－硅直接键合工艺机理和模拟的研究

  2. 硅-硅直接键合技术是一项重要的技术，可广泛应用于SOI、MEMS和大功率器件。对于大功率器件，由于键合界面通过大电流并要承受高压，界面的杂质分布、界面本征氧化层、空洞等对器件的击穿电压、串联电阻等电学性能有很大的影响，要求杂质分布陡、无界面本征氧化层和空洞。所以，用于大功率器件的疏水硅-硅直接键合技术是要求最高、难度最大、也是非常重要的键合技术之一，具有重要的研究意义。 本论文的研究工作是围绕大功率器件的硅-硅直接键合技术展开的：研究键合工艺机理以消除界面空洞，研究工艺模型以模拟键合过程中杂质分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38696590

  1. 基于嵌入共轭聚合物中的LiFePO4纳米粒子的无成型电阻开关存储器

  2. 在本文中，我们报告了嵌入共轭聚合物P3HT（P3HT：LiFePO4-NP）中的LiFePO4纳米颗粒（NP）的有机-无机纳米复合材料层的电阻转换特性。具有Al / P3HT / P3HT：LiFeP4-NP / ITO结构的存储器件在偏置电压扫描下表现出无成形的双极电阻切换行为。我们的器件达到了低定型（100倍，表明其在存储应用中的巨大潜力。）基于c-AFM测量研究了电阻开关机制，并基于导电丝模型研究了温度-电流相关性。偏压下Li +离子的扩散和氧化还原。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38515270

  1. 单层柱状结构薄膜体散射的理论研究

  2. 电子束蒸发的单层光学薄膜具有明显的柱状结构，薄膜内部折射率的变化较大，由此引起的体散射现象也较明显。基于一阶电磁微扰理论，建立了单层光学薄膜的体散射理论模型，分析了膜层厚度、入射光偏振态、柱状结构因子、非均质性对体散射的影响。研究了纯柱状结构下，电子束蒸发的单层二氧化铪(HfO2)薄膜体散射的角分布散射值(ARS)随着膜层厚度的变化规律，结果表明纯柱状结构HfO2 薄膜体散射的ARS 量级与表面散射完全非相关模型的ARS值相近，并且在特定的膜厚范围内，体散射的ARS值随着膜厚的增大而增大。对于非

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38688403

  1. Ge/Si异质键合半/绝接触界面态对异质结光电输运特性的影响研究

  2. Ge/Si异质键合技术作为一种新型的通用材料制备工艺,在制备高质量Si基Ge薄膜方面展现出巨大的潜力,是研制高性能Ge/Si光电器件的备选方案之一。现阶段主流的直接键合和等离子体键合方法在制备Ge/Si薄膜时都容易在Ge/Si键合界面处引入纳米氧化锗层(GeO2),导致Ge/GeO2及GeO2/Si半/绝接触界面存在界面态,从而器件性能受影响。基于载流子三大输运方程、非局域隧穿模型及半经典量子解法,构建了低温Ge/Si异质键合界面,研究了键合界面的界面态密度(ISD)对Ge/Si异质结的载流子电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：weixin_38746018

  1. 氧化铪薄膜的宽光谱光学特性研究

  2. 利用考夫曼离子源辅助电子束蒸发(IBAD)在K9 玻璃上制备了HfOsub>2 薄膜。采用DX-2000 型X 射线衍射仪(XRD)对薄膜晶体结构进行分析得知制备的薄膜呈现单斜晶相结构。采用SE850 宽谱变角度反射式光谱型椭偏仪对薄膜在280~2500 nm 波段的椭偏参数进行测量，光谱拟合中考虑了界面层和表面粗糙层，分别采用Cauchy 模型、Tauc-Lorentz 模型、Forouhi-Bloomer 模型、Sellmeier-Transparent 模型进行分析，得到薄膜紫外至近

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38666697

  1. 镀膜光纤声光相位调制器及压电层反射系数的研究

  2. 主要研究镀膜光纤声光相位调制器.介绍了氧化锌镀膜光纤的几何结构,分析了此几何结构压电声光振荡的基本原理,给出了光纤声光相位调制器的等效网络模型,根据此模型得到了声光压电层反射系数,并按实际参数进行了计算机模拟计算.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：141312
    • 提供者：weixin_38638033

  1. 氧化铟锡薄膜的椭偏光谱研究

  2. 用溅射法在Si片上制备了厚度为140 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜。X射线衍射研究表明所制备的薄膜为多晶结构。在1.5～4.5 eV范围内对ITO薄膜进行了椭偏测量。分别用德鲁德洛伦茨谐振子(Drude+Lorenz oscillators)模型、层进模型结合有效介质近似模型对椭偏参量ψ、Δ进行了拟合,得到ITO薄膜的折射指数n的变化范围在1.8～2.6之间,可见光范围内消光系数k接近于零,在350 nm波长附近开始明显变化,且随着波长的减小k迅速增加。计算得到直接和间接光学带隙分别是3.8 e

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38620099

  1. 膜厚对氧化钒薄膜结构和光学性质的影响

  2. 利用真空热蒸发在石英基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜, 研究厚度对薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。薄膜的结构由X射线衍射(XRD)仪和拉曼(Raman)光谱仪测得, 表面形貌用原子力显微镜(AFM)观测。利用分光光度计测量薄膜的光学透射率, 并且采用Forouhi-Bloomer模型与修正的德鲁德(Drude)自由电子模型相结合的方法拟合透射率来确定薄膜的折射率、消光系数和带隙。结果表明, 热蒸发的氧化钒薄膜呈非晶态, 薄膜的主要成分为五氧化二钒, 且含有少量的二氧化钒。薄膜表面的颗粒粘结在一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38728183

  1. 垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率规律

  2. 为实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)氧化孔径的精确控制，对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化，氧化后采用扫描电镜(SEM)对氧化层不同氧化深度处生成物组成进行了微区分析。结果表明在不同氧化深度处氧化生成物各元素的组分含量不同，尤其氧元素的组分含量差别较大。分析和讨论了氧化不同阶段的反应类型和反应生成物，并建立了氧化速率随时间变化的数学模型，推导出在湿法氧化过程中，氧化速率随时间按指数规律变化，指出在一定的温度下，氧化时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38525735

  1. 内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究

  2. 建立了一种适用于多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多层速率方程模型。在理论与实验基础上, 对器件进行小信号分析, 得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对VCSEL频率响应特性的影响。结果表明VCSEL调制带宽会随着输出功率增大而变宽。并进一步研究了内腔接触氧化限制型VCSEL的寄生电参数及其寄生电路, 对其小信号频率响应进行了模拟分析。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38620839

  1. 采用532 nm纳秒光纤激光对金属和热障涂层的激光微加工

  2. 涡轮叶片上气膜冷却孔的精密制造是一项复杂的技术，特别覆有热障涂层的金属叶片的加工尤为困难。实验采用532 nm的镱离子光纤纳秒脉冲激光研究脉冲激光束和陶瓷涂层或金属基材料之间的物理相互作用。通过半经验模型和有限元模型研究了激光与材料的相互作用，并预测了材料消融表面的几何形状。通过建模和实验数据之间的比较，进一步优化加工参数以获得最大的去除效率，并保证最少的由热效应引起的缺陷，如重铸层、边缘突起和微裂纹等。通过改变焦深、扫描模式、光斑半径和功率密度来研究激光与不锈钢、铜、镍铬铁合金718和氧化锆热

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38683193

  1. 极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型

  2. 极紫外光刻(EUVL)是最有可能实现22 nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外(EUV)光刻系统使用波长为13.5 nm，在此波段下曝光设备只能采用全反射式系统。然而，在极紫外光辐照下的光学元件，薄膜表层的碳化和氧化是导致EUV反射膜反射率下降的两种主要机制。结合EUV光学器件的表面分子动力学理论，研究碳沉积层的作用机理，以便找到抑制污染沉积的有效方法。通过针对碳污染层模型的计算研究，验证了模型和假设的有效性，从侧面证明了Boller等的“二次电子诱导分解是主要沉积过程”理论。通过迭代法模拟了控

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38718434

  1. 介质/金属/介质透明导电多层膜的椭圆偏振光谱研究

  2. 拥有介质/金属/介质结构的透明导电多层膜的光学与电学性能优于单层透明导电氧化物膜或金属膜，且能够在低温下制备。采用磁控溅射室温制备ZnO/Ag/SiN透明导电多层膜，并进行变角度椭圆偏振光谱测量。对单层膜建立物理模型并进行拟合，获得每层膜的折射率与消光系数。由单层膜模型组建多层膜模型，使多层膜的椭圆偏振光谱拟合值与实测值相吻合。拟合结果表明，不同O2和Ar流量比条件下制备衬底层ZnO时，功能层Ag的Drude模型中载流子浓度几乎不变，而迁移率不同。当O2和Ar流量比使ZnO处于氧化态时，Ag层的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：weixin_38623919
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