采用水热法制备了掺磷的ZnO纳米棒和ZnO纳米棒的同质结。 结构和光致发光（PL）表征表明P原子掺杂到ZnO晶格中。 在低温PL光谱中，观察到发射峰位于3.310 eV和3.241 eV，这可能分别归因于磷相关受体跃迁和供体-受体对跃迁的导带。 通过在未掺杂的ZnO纳米棒上生长的P掺杂的ZnO纳米棒合成ZnO同质结。 基于ZnO纳米棒p–n同质结的电流-电压（IV）测量显示出典型的半导体整流特性，其导通电压约为3.14 V，这意味着P的电导率 掺杂ZnO纳米棒可能是p -型导电性。 在室温下对该