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  1. 水蒸汽性质计算器 水,水蒸汽性质计算 根据压力 温度等计算出水或水蒸汽其他物理特性

  2. 水,水蒸汽性质计算 根据压力 温度等计算出水或水蒸汽其他物理特性
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-05-18
    • 文件大小:12582912
    • 提供者:ZZW0930
  1. 水和水蒸汽性质查询

  2. 可以查询比焓,比熵,粘度,密度,表面张力等,非常实用
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2012-12-12
    • 文件大小:324608
    • 提供者:evacxm
  1. 检测技术软测量

  2. 基于回归分析的饱和水和饱和水蒸汽密度的软测量   本文是利用回归方法建立饱和水和饱和水蒸气压力和密度的准确的关系表达式。饱和水和饱和水蒸汽温度、压力和密度的对应关系见附录一;matlab源程序见附录二。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2014-03-03
    • 文件大小:2048
    • 提供者:ssssss150671
  1. 基于回归分析的饱和水和饱和水蒸汽密度的软测量

  2. 基于回归分析的饱和水和饱和水蒸汽密度的软测量 检测
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2015-05-05
    • 文件大小:118784
    • 提供者:ssssss150671
  1. IAPWS-IF97/IFC67水和蒸汽性质计算程序

  2. IAPWS-IF97/IFC67水和蒸汽性质计算程序
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2015-09-07
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:fbtcdwx
  1. SBL数显靶式流量计选型说明书.pdf

  2. SBL数显靶式流量计选型说明书pdf,SBL数显靶式流量计选型说明书汇集传统精髓再创顶尖斛技 泉州日新流量仪器仪表有限公司 、概述: 1)、产品种类及适用领域: sBL型系列数显靶式流量计是在传统靶式流量计测量原理的基础上,充分利用其最优秀的特点,结合新型 传感器技术和现代数字技术上硏制、开发而成的全新型力感应靶式流量计,它既具有传统靶式、孔板、涡街等沇 量计无可动部件的特点,同时又具有与容积式流量计相媲美的测量准确度,加之其特有的抗干扰,抗杂质性能, 轻便又可靠的特点,广泛使用于石油、化工、能
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:344064
    • 提供者:weixin_38744375
  1. 标准孔板计算书(1).pdf

  2. 发电厂给水流量计,蒸汽流量计,除盐水流量计,原水流量计的计算公式。江阴市神州测控设备有限公司 节流装置设计计算节 设计标准GB2624-2006/S05167-1 订货单位 设计编号 同编号 安装位号:1.FE-102/2FE-1021 安装方式:水平 「节流件:1319标准喷嘴取压方式:角接取压流体名称过热水蒸汽 供货内容: 数量:2 附件 节流件上游侧阻流件形式:单个90°弯头,任一平面上的两个90°弯头(S>30D) 工 艺 条 件 最大流量:45000kg/h常用流量:280.00
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2019-07-03
    • 文件大小:346112
    • 提供者:weixin_44236704
  1. 高温对C40高性能混凝土导热性能的影响

  2. 通过护热平板法、热重分析等方法,对高温及不同恒温时间作用后C40高性能混凝土的表观密度、导热系数及材料的物相变化进行了试验研究。试验结果表明,随着温度的升高及恒温时间的延长,混凝土的表观密度、导热系数总体均呈下降趋势,但300℃时有反弹,主要原因是高温下产生的水蒸汽以及内部的密实结构对水泥水化产生蒸养作用;高温作用后混凝土表观密度与导热系数之间具有较好的相关性;温度升高时,混凝土内部脱水,部分物质受热反应,400℃~500℃之间主要为氢氧化钙分解,600℃后为石灰石的分解。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-20
    • 文件大小:651264
    • 提供者:weixin_38688890
  1. SiO2的制备方法

  2. 热氧化法干氧氧化水蒸汽氧化湿氧氧化干氧-湿氧-干氧(简称干湿干)氧化法氢氧合成氧化化学气相淀积法热分解淀积法溅射法 干法氧化通常用来形成栅极二氧化硅膜,要求薄、界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较 厚的SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:34816
    • 提供者:weixin_38674675