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  1. 沟道和漂移区中具有应力增强电子迁移率的基于沟槽的NLDMOS

  2. 沟道和漂移区中具有应力增强电子迁移率的基于沟槽的NLDMOS
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-02
    • 文件大小:457728
    • 提供者:weixin_38691006