报道了一种由波长锁定878.6 nm半导体激光器抽运Nd:YVO4晶体的1064 nm激光器，当晶体吸收7.41 W的抽运功率时获得了5.75 W的1064 nm激光输出，相对于吸收功率的斜率效率为80.2%，光光转换率为77.6%，并且对波长锁定878.6 nm，非波长锁定的808 nm，878.6 nm抽运的激光器的温度特性进行了研究，结果表明利用波长锁定878.6 nm作为抽运源的激光器在10 ℃~40 ℃的温度变化范围内具有很好的输出稳定性。